GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

标准详情：

GB/T 26066-2010

国家标准推荐性

中文名称：硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
CCS分类：H80
ICS分类：29.045
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
代替标准：
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。本标准适用于检测或晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于O．OOlΩ?cm。

起草单位

洛阳单晶硅有限责任公司、

起草人

田素霞、张静雯、王文卫、周涛、

相近标准

GB/T 16545-2015 金属和合金的腐蚀腐蚀试样上腐蚀产物的清除
GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
20210892-T-469 硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法
YY/T 0807-2010 预装在输送系统上的球囊扩张血管支架稳固性能标准测试方法
GB/T 25147-2010 工业设备化学清洗中金属腐蚀率及腐蚀总量的测试方法重量法
GB/T 32026-2015 镀银玻璃镜耐环境腐蚀的测试方法
GB/T 41951-2022 金属和合金的腐蚀建筑用钢连接部件及钢构件耐腐蚀性能测试方法
GB/T 19292.4-2018 金属和合金的腐蚀大气腐蚀性第4部分：用于评估腐蚀性的标准试样的腐蚀速率的测定
20213489-T-606 钢筋混凝土腐蚀监检测技术规范

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

本地下载

纠错