GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

标准详情：

GB/T 24581-2009

国家标准推荐性

中文名称：低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
CCS分类：H80
ICS分类：29.045
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
代替标准：被GB/T 24581-2022全部代替
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10～5.0×1O)a。每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。

起草单位

四川新光硅业科技有限责任公司、

起草人

梁洪、过惠芬、吴道荣、

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