GB/T 20176-2006 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
标准详情:
GB/T 20176-2006
国家标准推荐性现行
- 中文名称:表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- CCS分类:N33
- ICS分类:71.040.40
- 发布日期:2006-03-27
- 实施日期:2006-11-01
- 代替标准:
- 技术归口:全国微束分析标准化技术委员会
- 发布部门:国家标准化管理委员会
- 标准分类:化工技术分析化学化学分析
内容简介
国家标准《表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度》由TC38(全国微束分析标准化技术委员会)归口,TC38SC2(全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准详细说明了用标定的均匀掺杂物质确定单晶硅中硼的原子浓度的二次离子质谱方法。它适用于均匀掺杂硼浓度范围从1×10的16次方atoms/cm3~1×10的20次方atoms/cm3。
起草人
查良镇、陈旭、黄天斌、刘林、黄雁华、王光普、
相近标准
GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
20213227-T-469 表面化学分析 二次离子质谱 静态二次离子质谱相对强度标的重复性和一致性
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
GB/T 22572-2008 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法
GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
DB53/T 421-2012 工业硅中硼的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。
- 标准质量:
下载说明
- ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准,期待。
② 仅供网友学习交流,若侵犯了您的权益,请联系我们予以删除。