GB/T 42897-2023 微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法
标准详情:
GB/T 42897-2023
国家标准推荐性现行
- 中文名称:微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法
- CCS分类:L59
- ICS分类:31.200
- 发布日期:2023-08-06
- 实施日期:2023-12-01
- 代替标准:
- 技术归口:全国微机电技术标准化技术委员会
- 发布部门:国家标准化管理委员会
- 标准分类:电子学集成电路、微电子学
内容简介
国家标准《微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法》由TC336(全国微机电技术标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件描述了硅基MEMS加工过程中所涉及的纳米厚度膜轴向抗拉强度原位试验的要求和试验方法。本文件适用于采用微电子工艺制造的纳米厚度膜抗拉强度测试。
起草单位
北京大学、中国电子技术标准化研究院、厦门市智慧健康研究院有限公司、四川富生电器有限责任公司、无锡韦感半导体有限公司、江门市润宇传感器科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、北京燕东微电子科技有限公司、宁波瑞成包装材料有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、广州奥松电子股份有限公司、
起草人
张大成、 杨芳、 刘鹏、 李凤阳、 陈艺、 于志恒、 张彦秀、 王清娜、 宏宇、 赵成龙、 李根梓、顾枫、王旭峰、高程武、华璇卿、刘若冰、邵峥、李强、张宾、李海全、
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