GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试红外反射法

标准详情：

GB/T 42905-2023

国家标准推荐性

中文名称：碳化硅外延层厚度的测试红外反射法
CCS分类：H21
ICS分类：77.040
发布日期：2023-08-06
实施日期：2024-03-01
代替标准：
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《碳化硅外延层厚度的测试红外反射法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。本文件适用于n型掺杂浓度大于1×10¹⁸cm^-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×10¹⁶cm^-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3μm~200μm。

起草单位

安徽长飞先进半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、安徽芯乐半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、浙江芯科半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、

起草人

钮应喜、刘敏、丁雄杰、吴会旺、李京波、张会娟、雷浩东、闫果果、袁松、赵丽霞、仇光寅、李素青、赵跃、彭铁坤、

相近标准

20240143-T-469 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试红外反射法
YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法
GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
YS/T 15-1991 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
YS/T 15-2015 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
YS/T 14-1991 导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

本地下载

纠错