GB/T 42896-2023 微机电系统（MEMS）技术硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法

标准详情：

GB/T 42896-2023

国家标准推荐性

中文名称：微机电系统（MEMS）技术硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法
CCS分类：L59
ICS分类：31.200
发布日期：2023-08-06
实施日期：2023-12-01
代替标准：
技术归口：全国微机电技术标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电子学集成电路、微电子学

内容简介

国家标准《微机电系统（MEMS）技术硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件描述了硅基MEMS制造技术中所涉及的纳尺度膜结构沿厚度方向冲击试验的要求和试验方法。本文件适用于采用微电子工艺制造的纳尺度结构在一次冲击负荷作用下的耐冲击性能的测试。

起草单位

北京大学、中国电子技术标准化研究院、宁波芯健半导体有限公司、上海临港新片区跨境数据科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、北京燕东微电子科技有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、广州奥松电子股份有限公司、

起草人

张大成、杨芳、刘鹏、王旭峰、于志恒、陈艺、张彦秀、罗书明、张宾、李根梓、顾枫、李凤阳、高程武、华璇卿、刘若冰、武斌、张启心、

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