GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法

标准详情：

GB/T 43313-2023

国家标准推荐性

中文名称：碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法
CCS分类：H21
ICS分类：77.040
发布日期：2023-11-27
实施日期：2024-06-01
代替标准：
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质it和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。本文件适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm，厚度范围为300μm~1000μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、常州臻晶半导体有限公司、厦门坤锦电子科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、中国科学院半导体研究所、浙江东尼电子股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、

起草人

姚康、刘立娜、马春喜、高飞、郑红军、房玉龙、刘薇、李嘉炜、杨玉聪、黄树福、何烜坤、李素青、张红岩、陆敏、芦伟立、丁雄杰、晏阳、钮应喜、

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