GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法

标准详情：

GB/T 1558-2023

国家标准推荐性

中文名称：硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
CCS分类：H17
ICS分类：77.040
发布日期：2023-12-28
实施日期：2024-07-01
代替标准：代替GB/T 1558-2009
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《硅中代位碳含量的红外吸收测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。本文件适用于电阻率大于3Ω·cm的P型硅单晶片及电阻率大于1Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试（室温下测试范围：5X10¹⁵cm^-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80K时测试范围：不小于5X10¹⁴cm^-3）。

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、天津中环领先材料技术有限公司、山东有研半导体材料有限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、四川永祥新能源有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、义乌力迈新材料有限公司、青海芯测科技有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、中国计量科学研究院、开化县检验检测研究院、亚洲硅业（青海）股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、浙江众晶电子有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、

起草人

李静、何烜坤、索开南、马春喜、张海英、孙韫哲、赵跃、王军锋、徐顺波、李寿琴、徐岩、李明达、杜伟华、刘立娜、李素青、薛心禄、张雪囡、王彦君、沈益军、李兰兰、邹剑秋、张宝顺、刘国霞、陆勇、皮坤林、

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