GB/Z 43510-2023 集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南

标准详情：

GB/Z 43510-2023

国家标准指导性技术文件

中文名称：集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南
CCS分类：L55
ICS分类：31.200
发布日期：2023-12-28
实施日期：2024-04-01
代替标准：
技术归口：全国集成电路标准化技术委员会
发布部门：工业和信息化部（电子）
标准分类：电子学集成电路、微电子学

内容简介

国家标准《集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南》由TC599（全国集成电路标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。
本文件提供了硅通孔（TSV）三维封装的工艺开发验证用可靠性试验方法指南。本文件适用于采用先通孔、中通孔以及后通孔三种工艺流程制造的TSV三维封装的工艺验证试验。

起草单位

中国电子技术标准化研究院、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、中国科学院半导体研究所、电子科技大学、中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所、中国科学院微电子研究所、

起草人

李锟、彭博、周斌、高见头、肖克来提、吴道伟、李文昌、

相近标准

20182279-T-339 集成电路三维封装芯片叠层工艺过程和评价要求
20182287-T-339 集成电路三维封装带凸点圆片减薄工艺过程和评价要求
20182286-T-339 集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺过程和评价要求
20231790-T-339 三维集成电路第3部分：硅通孔模型及测试方法
20192057-T-339 复杂集成电路设计保证指南
SY/T 10021-1998 海上三维地震资料处理技术指南
GB/T 43536.1-2023 三维集成电路第1部分：术语和定义
YY/T 1279-2015 三维超声成像性能试验方法
20231872-T-339 半导体器件通用鉴定指南第1部分：集成电路可靠性鉴定指南
GB/T 43536.2-2023 三维集成电路第2部分：微间距叠层芯片的校准要求

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

本地下载

纠错