GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

标准详情：

GB/T 34481-2017

国家标准推荐性

中文名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
CCS分类：H25
ICS分类：77.040
发布日期：2017-10-14
实施日期：2018-07-01
代替标准：
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1000个／cm2、直径为75mm~150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。

起草单位

云南中科鑫圆晶体材料有限公司、中科院半导体研究所、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、

起草人

惠峰、普世坤、董汝昆、

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