GB/T 36477-2018 半导体集成电路快闪存储器测试方法

标准详情：

GB/T 36477-2018

国家标准推荐性

中文名称：半导体集成电路快闪存储器测试方法
CCS分类：L56
ICS分类：31.200
发布日期：2018-06-07
实施日期：2019-01-01
代替标准：
技术归口：全国半导体器件标准化技术委员会
发布部门：工业和信息化部（电子）
标准分类：电子学集成电路、微电子学

内容简介

国家标准《半导体集成电路快闪存储器测试方法》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC2（全国半导体器件标准化技术委员会半导体集成电路分会）执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。

起草单位

中国电子技术标准化研究院、上海复旦微电子集团股份有限公司、北京兆易创新科技股份有限公司、中兴通讯股份有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、深圳市中兴微电子技术有限公司、复旦大学、

起草人

菅端端、陈大为、冯光涛、倪昊、田万廷、高硕、钟明琛、罗晓羽、赵子鉴、董艺、闵昊、刘刚、

相近标准

20192063-T-339 半导体集成电路快闪存储器（FLASH）
SJ/T 11701-2018 通用NAND型快闪存储器接口
20192068-T-339 半导体集成电路驱动器测试方法
20182281-T-339 半导体集成电路 PWM控制器测试方法
GB/T 35008-2018 串行NOR型快闪存储器接口规范
GB/T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范
20182282-T-339 半导体集成电路 AC/DC变换器测试方法
20192064-T-339 半导体集成电路霍尔电路测试方法
GB/T 6648-1986 半导体集成电路静态读/ 写存储器空白详细规范(可供认证用)
GB/T 36474-2018 半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

本地下载

纠错