GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法

标准详情:

GB/T 32282-2015

国家标准推荐性
  • 中文名称:氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
  • CCS分类:H21
    ICS分类:77.040
  • 发布日期:2015-12-10
    实施日期:2016-11-01
  • 代替标准:
  • 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
    发布部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。 本标准适用于位错密度在1×10^3 个/cm2~5×10^8 个/cm2 之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。

起草单位

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、

起草人

曾雄辉、张燚、刘争晖、邱永鑫、董晓鸣、牛牧童、王建峰、徐科、

相近标准

GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法
GB/T 5252-2020 锗单晶位错密度的测试方法
GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法
SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
SJ/T 10557.3-1994 电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

「在线纠错」

「相关推荐」