GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
标准详情:
GB/T 14142-2017
国家标准推荐性现行
- 中文名称:硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
- CCS分类:H25
- ICS分类:77.040
- 发布日期:2017-09-29
- 实施日期:2018-04-01
- 代替标准:代替GB/T 14142-1993
- 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 发布部门:国家标准化管理委员会
- 标准分类:冶金金属材料试验
内容简介
国家标准《硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用化学腐蚀显示,并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验,硅外延层厚度大于2μm,缺陷密度的测试范围0~10000cm-2。
起草单位
南京国盛电子有研公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、有研半导体材料有限公司、
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