GB/T 38094-2019 搪瓷制品和瓷釉 缺陷检测及定位的低电压试验
标准详情:
GB/T 38094-2019
国家标准推荐性现行
- 中文名称:搪瓷制品和瓷釉 缺陷检测及定位的低电压试验
- CCS分类:Y26
- ICS分类:25.220.50
- 发布日期:2019-10-18
- 实施日期:2020-05-01
- 代替标准:
- 技术归口:中国轻工业联合会
- 发布部门:中国轻工业联合会
- 标准分类:机械制造表面处理和镀涂搪瓷
内容简介
国家标准《搪瓷制品和瓷釉 缺陷检测及定位的低电压试验》由607(中国轻工业联合会)归口,主管部门为中国轻工业联合会。
本标准规定了两种低电压试验,适用于搪瓷瓷层和金属基板缺陷的检测。方法A是一种基于电学或电声学的快速测试方法,可基本确定缺陷位置,适用于平面试样的检测;方法B是一种基于颜色效应的光学测试方法,可精确确定缺陷位置,适用于较复杂形状试样的检测。注1:选择正确的测试方法对于区分由方法B测得的电导增强的区域与由两种方法测得的延伸至金属基板的针孔是重要的。注2:低电压试验是一种搪瓷缺陷检测的非破坏性方法,它完全不同于高电压试验方法,两种试验方法的测试结果不具有可比性。
起草单位
东华大学、上海市眼镜玻璃搪瓷产品质量监督检验站、国家眼镜玻璃搪瓷制品质量监督检验中心、
起草人
徐晓健、戴琦、张国琇、张尼尼、吴嘉许、王贺兰、徐张倩、龚苗、
相近标准
20214927-T-604 搪瓷制品和瓷釉 光泽度测试方法
GB/T 38092-2019 搪瓷制品和瓷釉 流动性的测试 熔流试验
GB/T 38167-2019 搪瓷制品和瓷釉 自洁性能的试验方法
20230065-T-604 搪瓷制品和瓷釉 未处理饮用水供应系统用内外表面搪瓷的阀门和压力管配件 要求和试验方法
GB/T 38168-2019 搪瓷制品和瓷釉 涂搪制品瓷层的试验方法选择指南
20210892-T-469 硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法
20214654-T-469 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法
20214649-T-469 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法
20221438-T-339 车载定位系统技术要求及试验方法 第1部分:卫星定位
20214653-T-469 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类
* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。
- 标准质量:
下载说明
- ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准,期待。
② 仅供网友学习交流,若侵犯了您的权益,请联系我们予以删除。