GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
标准详情:
- 中文名称:砷化镓单晶位错密度的测试方法
- CCS分类:H21
- ICS分类:77.040
- 发布日期:2020-09-29
- 实施日期:2021-08-01
- 代替标准:代替GB/T 8760-2006
- 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 发布部门:国家标准化管理委员会
- 标准分类:冶金金属材料试验
内容简介
国家标准《砷化镓单晶位错密度的测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。本标准适用于{100}、{111}面砷化镓单晶位错密度的测试,测试范围为0cm-2~100000cm-2。
起草单位
有研光电新材料有限责任公司、国合通用测试评价认证股份公司、广东先导稀材股份有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中国电子科技集团第四十六研究所、雅波拓(福建)新材料有限公司、
起草人
赵敬平、林泉、刘淑凤、姚康、马英俊、王彤涵、陈晶晶、付萍、于洪国、惠峰、许所成、许兴、赵素晓、韦圣林、
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