GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
标准详情:
GB/T 41153-2021
国家标准推荐性现行
- 中文名称:碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
- CCS分类:H17
- ICS分类:77.040
- 发布日期:2021-12-31
- 实施日期:2022-07-01
- 代替标准:
- 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 发布部门:国家标准化管理委员会
- 标准分类:冶金金属材料试验
内容简介
国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5X1013cm-3、铝含量不小于5X1013cm-3氮含量不小于5X1015cm-3,元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。注1:碳化硅单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子数计。注2:碳化硅单晶中钒杂质含量的测定可参照本文件进行,测定范围为钒含量不小于1x1013cm-3c。
起草单位
中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、
起草人
马农农、何友琴、何烜坤、李素青、陈潇、刘立娜、张红岩、
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