GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法

标准详情：

GB/T 41765-2022

国家标准推荐性

中文名称：碳化硅单晶位错密度的测试方法
CCS分类：H21
ICS分类：77.040
发布日期：2022-10-12
实施日期：2023-05-01
代替标准：
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《碳化硅单晶位错密度的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向{1120}方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。

起草单位

北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、

起草人

彭同华、佘宗静、赵宁、王波、李素青、娄艳芳、王大军、郭钰、杨建、

相近标准

SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法
SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法
SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法
GB/T 5252-2020 锗单晶位错密度的测试方法
SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定化学腐蚀法
SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

本地下载

纠错