GB/T 33657-2017 纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

标准详情：

GB/T 33657-2017

国家标准推荐性

中文名称：纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
CCS分类：L56
ICS分类：31.200
发布日期：2017-05-12
实施日期：2017-12-01
代替标准：
技术归口：全国纳米技术标准化技术委员会
发布部门：中国科学院
标准分类：电子学集成电路、微电子学

内容简介

国家标准《纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范》由TC279（全国纳米技术标准化技术委员会）归口，主管部门为中国科学院。
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100nm的相变存储单元，100nm~300nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。

起草单位

中国科学院上海微系统与信息技术研究所、

起草人

陈一峰、陈小刚、宋志棠、

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