GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

标准详情:

GB/T 33657-2017

国家标准推荐性
  • 中文名称:纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
  • CCS分类:L56
    ICS分类:31.200
  • 发布日期:2017-05-12
    实施日期:2017-12-01
  • 代替标准:
  • 技术归口:全国纳米技术标准化技术委员会
    发布部门:中国科学院
  • 标准分类:电子学集成电路、微电子学

内容简介

国家标准《纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范》由TC279(全国纳米技术标准化技术委员会)归口,主管部门为中国科学院。
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范,其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料,基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100nm的相变存储单元,100nm~300nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。

起草单位

中国科学院上海微系统与信息技术研究所、

起草人

陈一峰、陈小刚、宋志棠、

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