GB/T 28274-2012 硅基MEMS制造技术版图设计基本规则

标准详情：

GB/T 28274-2012

国家标准推荐性

中文名称：硅基MEMS制造技术版图设计基本规则
CCS分类：L55
ICS分类：31.200
发布日期：2012-05-11
实施日期：2012-12-01
代替标准：
技术归口：全国微机电技术标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电子学集成电路、微电子学

内容简介

国家标准《硅基MEMS制造技术版图设计基本规则》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了微结构加工时,光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)、离子注入、反应离子刻蚀(RIE)、氢氧化钾(KOH)腐蚀、硅-玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。

起草单位

北京大学、中国电子科技集团第十三研究所、西北工业大学、中机生产力促进中心、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、

起草人

张大成、王玮、姜森林、崔波、刘伟、杨芳、

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