T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法
标准详情：
T/IAWBS 003-2017
团体标准推荐性现行
- 中文名称：碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法
- CCS分类：/C398
- ICS分类：29.045
- 发布日期：2017-12-20
- 行业分类：C 制造业
- 实施日期：2017-12-31
- 团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
- 标准分类：电气工程制造业C 制造业电子元件及电子专用材料制造
内容简介
本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。 本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。载流子浓度测量范围为：1×1014 cm-3 ～5×1017 cm-3。 本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。
起草单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所
起草人
冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲
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