T/IAWBS 006-2018 碳化硅混合模块测试方法

标准详情:

T/IAWBS 006-2018

团体标准推荐性
  • 中文名称:碳化硅混合模块测试方法
  • CCS分类:/C397
    ICS分类:29.045
  • 发布日期:2018-12-06
    行业分类:C 制造业
  • 实施日期:2018-12-17
    团体名称:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
  • 标准分类:C 制造业电子器件制造电气工程制造业

内容简介

本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求
本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。本标准规定了极限值试验,特性参数测试、耐久性测试,根据特性参数确认模块特性,由此判断是否通过极限值试验。参数包括(集电极-发射极电压VCES,二极管反向电压VR、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压±VGES、最大集电极电流IC、二极管正向(直流)电流IF、集电极峰值电流ICM、二极管正向峰值电流IFM、反偏安全工作区RBSOA、短路安全工作区1SCSOA1、二极管正向(不重复)浪涌电流IFSM、端子和底板之间的绝缘电压Visol等)。本标准还规定了检测报告中应给出的信息。

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、北 京天科合达半导体股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司、泰科天润半导体科技(北 京)有限公司

起草人

张瑾,仇志杰,陆敏,彭同华,刘振洲,王志超,陈彤,郑红军, 林雪如,陈鹏,刘祎晨

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

「在线纠错」

「相关推荐」