GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法

标准详情:

GB/T 6621-2009

国家标准推荐性
  • 中文名称:硅片表面平整度测试方法
  • CCS分类:H80
    ICS分类:29.045
  • 发布日期:2009-10-30
    实施日期:2010-06-01
  • 代替标准:代替GB/T 6621-1995
  • 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
    发布部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅片表面平整度测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。
u3000u3000本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。 u3000u3000本标准适用于测量标准直径76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,电阻率不大于200Ω.cm厚度不大于1000?m的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

起草单位

上海合晶硅材料有限公司、

起草人

徐新华、严世权、王珍、

相近标准

20204891-T-469 硅片表面光泽度的测试方法
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T 30860-2014 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法
GB/T 24578-2015 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法
GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法
GB/T 40279-2021 硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法
SJ/T 11630-2016 太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

「在线纠错」

「相关推荐」