GB/T 24582-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
标准详情：
GB/T 24582-2009
国家标准推荐性现行
- 中文名称：酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
- CCS分类：H80
- ICS分类：29.045
- 发布日期：2009-10-30
- 实施日期：2010-06-01
- 代替标准：
- 技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 发布部门：国家标准化管理委员会
- 标准分类：电气工程半导体材料
内容简介
国家标准《酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积很难准确测定，故根据样品重量计算结果，使用的样品重量为50 g～300 g，检测限为0.01 ng/mL。酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效益。在这个实验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品的重量的1%。本标准适用于重量为25 g～5000 g的样品的测定，为了达到仲裁的目的，该实验方法规定样品的重量为约300 g。
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