GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
标准详情：
- 中文名称：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
- CCS分类：H80
- ICS分类：29.045
- 发布日期：2009-10-30
- 实施日期：2010-06-01
- 代替标准：代替GB/T 6616-1995
- 技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 发布部门：国家标准化管理委员会
- 标准分类：电气工程半导体材料
内容简介
国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
u3000u3000本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 u3000u3000本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。
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