GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

标准详情：

GB/T 24576-2009

国家标准推荐性

中文名称：高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
CCS分类：H80
ICS分类：29.045
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
代替标准：
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用高分辨X 射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用本方法测量Al元素含量时,AlGaAs外延层厚度应大于300nm。

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、

起草人

章安辉、黄庆涛、何秀坤、

相近标准

SH/T 0625-1995 硅铝催化剂中γ-Al2O3含量测定法（X射线衍射法）
YS/T 976-2014 煅烧α型氧化铝中α-Al2O3含量的测定 X-射线衍射法
20204668-T-491 成像衍射光学元件衍射效率的测量方法
GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底
SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
SN/T 2764-2011 萤石中多种成分的测定 X射线荧光光谱法
20211886-T-610 高强高韧型Al-Zn-Mg-Cu系铝合金锻件
20211887-T-610 高强高韧型Al-Zn-Mg-Cu系铝合金挤压材
20230118-T-609 凹凸棒石相含量的测定 X射线衍射-标准曲线法

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

本地下载

纠错