GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

标准详情：

GB/T 14144-2009

国家标准推荐性

中文名称：硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
CCS分类：H80
ICS分类：29.045
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
代替标准：代替GB/T 14144-1993
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
u3000u3000本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。 u3000u3000本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。

起草单位

峨嵋半导体材料厂、

起草人

杨旭、江莉、

相近标准

GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
SJ/T 10625-1995 锗单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法
SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
SJ/T 10627-1995 通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定间隙氧含量减少法
20204798-T-609 晶体硅光伏组件回收处理方法物理法
SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
SJ/T 11495-2015 硅中间隙氧的转换因子指南

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

本地下载

纠错