GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

标准详情：

GB/T 14847-2010

国家标准推荐性

中文名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
CCS分类：H80
ICS分类：29.045
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
代替标准：代替GB/T 14847-1993
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底在23℃电阻串小于0.02Ω?cm和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω?cm且外延层厚度大于2μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试0.5μm～2μm之间的n型和p型外延层厚度。

起草单位

宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心、

起草人

李慎重、何良恩、何秀坤、许峰、刘培东、

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