GB/T 32277-2015 硅的仪器中子活化分析测试方法

标准详情：

GB/T 32277-2015

国家标准推荐性

中文名称：硅的仪器中子活化分析测试方法
CCS分类：H17
ICS分类：29.045
发布日期：2015-12-10
实施日期：2017-01-01
代替标准：
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅的仪器中子活化分析测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
1.1 本标准规定了硅材料的仪器中子活化分析测试方法。1.2 本标准适用于化学气相沉积法或冶金提纯方法生产的硅材料的仪器中子活化分析。分析样品可以是单晶硅、多晶硅，而多晶硅的形态可以是粉末、颗粒、块状或硅片。1.3 本标准适用于材料的宏观成分分析。如按本测试方法进行额外的样品制备，并在样品抽取、传送和制备过程中避免表面污染，也可实现样品的表面或近表面区域分析1.4 本测试方法仅适用于附录A中所列痕量元素的热中子或超热中子活化分析。1.5 本测试方法不适用于非晶硅薄膜、多晶硅薄膜或微晶硅薄膜的分析。对于受到人为掺杂高浓度特殊元素的硅样品，也不属于本测试方法适用范围，但在检查过掺杂对安全、检测限和最小等待时间。的影响之后，该测试方法还是可能适用。1.6 本测试方法用于分析大范围的痕量元素（见附录A）。通常，样品的辐照时间应比3Si的衰变寿命长，而且应等辐照生成的31Si充分地衰变之后才能实施分析。

起草单位

乐山乐电天威硅业科技有限责任公司、新特能源股份有限公司、中国原子能科学研究院、

起草人

李智伟、张亚东、银波、邱艳梅、张新、姚淑、

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