GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
标准详情：
- 中文名称：硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
- CCS分类：H80
- ICS分类：29.045
- 发布日期：2009-10-30
- 实施日期：2010-06-01
- 代替标准：代替GB/T 1558-1997
- 技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 发布部门：国家标准化管理委员会
- 标准分类：电气工程半导体材料
内容简介
国家标准《硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
u3000u3000本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。 本标准适用于电阻率高于3Ω·cm的p型硅片及电阻率高于1Ω·cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定，对于精密度要求不高的硅片，可以测量电阻率大于0.1Ω·cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。
起草单位
信息产业部专用材料质量监督检验中心、峨嵋半导体材料厂、中国电子科技集团公司第四十六研究所、
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