GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法

标准详情:

GB/T 1558-2009

国家标准推荐性
  • 中文名称:硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
  • CCS分类:H80
    ICS分类:29.045
  • 发布日期:2009-10-30
    实施日期:2010-06-01
  • 代替标准:代替GB/T 1558-1997
  • 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
    发布部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。
u3000u3000本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。 本标准适用于电阻率高于3Ω·cm的p型硅片及电阻率高于1Ω·cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率大于0.1Ω·cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置,因而本方法不能测定总碳含量。

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心、峨嵋半导体材料厂、中国电子科技集团公司第四十六研究所、

起草人

何秀坤、李静、段曙光、梁洪、

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