GB/T 42191-2023 MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法
标准详情:
GB/T 42191-2023
国家标准推荐性现行
- 中文名称:MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法
- CCS分类:L59
- ICS分类:31.080.99
- 发布日期:2023-05-23
- 实施日期:2023-09-01
- 代替标准:
- 技术归口:全国微机电技术标准化技术委员会
- 发布部门:国家标准化管理委员会
- 标准分类:电子学半导体分立器件其他半导体分立器件
内容简介
国家标准《MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法》由TC336(全国微机电技术标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件描述了 MEMS 压阻式压力敏感器件试验条件和试验方法。本文件适用于 MEMS 压阻式压力敏感器件。
起草单位
北京大学、北京智芯传感科技有限公司、厦门光莆电子股份有限公司、宁波志伦电子有限公司、华东光电集成器件研究所、南京高华科技股份有限公司、湖南国天电子科技有限公司、广州广电计量检测股份有限公司、深圳安培龙科技股份有限公司、中机生产力促进中心有限公司、昆山昆博智能感知产业技术研究院有限公司、江门市润宇传感器科技有限公司、广州奥松电子股份有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、中国科学院微电子研究所、南京沃天科技股份有限公司、武汉飞恩微电子有限公司、昆山传感器测控技术有限公司、
起草人
张威、 顾枫、 李宋、 张亚婷、 林瑞梅、 李树成、 王鹏、 李晓波、 陈路、 高峰、 陈君杰、 王冰、 李根梓、陈广忠、张良、陈立国、茅曙、张宾、许宙、王玮冰、明志茂、曹万、
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