GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类

标准详情:

GB/T 43493.1-2023

国家标准推荐性
  • 中文名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类
  • CCS分类:L90
    ICS分类:31.080.99
  • 发布日期:2023-12-28
    实施日期:2024-07-01
  • 代替标准:
  • 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
    发布部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:电子学半导体分立器件其他半导体分立器件

内容简介

国家标准《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按品体学结构进行分类,并通过明场光学显微术(OM)、光致发光(PL)和X射线形貌(XRT))图像等无损检测方法进行识别。

起草单位

河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳市晶扬电子有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、浙江大学、中国科学院半导体研究所、广东天域半导体股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、深圳创智芯联科技股份有限公司、广州弘高科技股份有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、中微半导体(上海)有限公司、

起草人

房玉龙、 芦伟立、 张红岩、 王健、 李振廷、 张建锋、 刘立娜、 钮应喜、 刘薇、 杨玉聪、 姚玉、 高东兴、 夏俊杰、 周少丰、 李佳、张冉冉、李丽霞、殷源、徐晨、杨青、金向军、丁雄杰、魏汝省、吴会旺、王辉、陆敏、郭世平、

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