GB/T 43493.2-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法

标准详情：

GB/T 43493.2-2023

国家标准推荐性

中文名称：半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法
CCS分类：L90
ICS分类：31.080.99
发布日期：2023-12-28
实施日期：2024-07-01
代替标准：
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电子学半导体分立器件其他半导体分立器件

内容简介

国家标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

起草单位

河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、山西烁科晶体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、深圳市恒运昌真空技术有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、厦门柯尔自动化设备有限公司、之江实验室、浙江大学、河北普兴电子科技股份有限公司、中电化合物半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、深圳市鹰眼在线电子科技有限公司、常州臻晶半导体有限公司、厦门普诚科技有限公司、

起草人

芦伟立、房玉龙、李丽霞、杨青、张建锋、李振廷、张永强、钮应喜、丁雄杰、刘薇、乐卫平、周翔、郑隆结、薛联金、李佳、张冉冉、殷源、刘立娜、徐晨、宋生、金向军、毛开礼、周少丰、庄建军、夏俊杰、陆敏、

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