GB/T 34900-2017 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
标准详情：
GB/T 34900-2017
国家标准推荐性现行
- 中文名称：微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
- CCS分类：L55
- ICS分类：31.200
- 发布日期：2017-11-01
- 实施日期：2018-05-01
- 代替标准：
- 技术归口：全国微机电技术标准化技术委员会
- 发布部门：国家标准化管理委员会
- 标准分类：电子学集成电路、微电子学
内容简介
国家标准《微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4％且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁结构。
起草单位
天津大学、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第十三研究所、中机生产力促进中心、南京理工大学、
起草人
郭彤、胡晓东、裘安萍、程红兵、李海斌、于振毅、崔波、朱悦、
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