GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法

标准详情:

GB/T 11297.6-1989

国家标准推荐性
  • 中文名称:锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
  • CCS分类:L32
    ICS分类:
  • 发布日期:1989-03-31
    实施日期:1990-01-01
  • 代替标准:
  • 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
    发布部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:

内容简介

国家标准《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。
本方法采用硝酸-氢氟酸腐蚀剂腐蚀,适用于锑化铟原始晶片(111)铟面a位错的显示和测定。测量面偏离(111)面应不大于3°。

起草单位

电子十一所、

起草人

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