GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

标准详情:

GB/T 6617-1995

国家标准推荐性
  • 中文名称:硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
  • CCS分类:H21
    ICS分类:
  • 发布日期:1995-04-18
    实施日期:1995-12-01
  • 代替标准:被GB/T 6617-2009全部代替
  • 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
    发布部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:

内容简介

国家标准《硅片电阻率测定 扩展电阻探针法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。

起草单位

上海有色金属研究所、

起草人

相近标准

GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
YS/T 602-2017 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法
YS/T 602-2007 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法
SJ/T 11627-2016 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

「在线纠错」

「相关推荐」