GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

标准详情:

GB/T 17170-1997

国家标准推荐性
  • 中文名称:非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
  • CCS分类:H21
    ICS分类:29.045
  • 发布日期:1997-12-22
    实施日期:1998-08-01
  • 代替标准:被GB/T 17170-2015全部代替
  • 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
    发布部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。 本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。

起草单位

电子工业部第四十六研究所、

起草人

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