GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
标准详情:
GB/T 17170-1997
国家标准推荐性废止
- 中文名称:非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
- CCS分类:H21
- ICS分类:29.045
- 发布日期:1997-12-22
- 实施日期:1998-08-01
- 代替标准:被GB/T 17170-2015全部代替
- 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 发布部门:国家标准化管理委员会
- 标准分类:电气工程半导体材料
内容简介
国家标准《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。 本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。
相近标准
GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
SJ/T 11488-2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
SJ/T 11496-2015 红外吸收法测量砷化镓中硼含量
GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
SJ/T 10625-1995 锗单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法
DB13/T 1314-2010 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片
20214650-T-469 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。
- 标准质量:
下载说明
- ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准,期待。
② 仅供网友学习交流,若侵犯了您的权益,请联系我们予以删除。