GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
标准详情:
GB/T 19199-2003
国家标准推荐性废止
- 中文名称:半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- CCS分类:H82
- ICS分类:29.045
- 发布日期:2003-06-16
- 实施日期:2004-01-01
- 代替标准:被GB/T 19199-2015全部代替
- 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 发布部门:国家标准化管理委员会
- 标准分类:电气工程半导体材料
内容简介
国家标准《半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于1.0×107 Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的测定。可测定的最低碳浓度为4.0×1014 cm-3。
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