GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件

标准详情：

GB/T 20516-2006

国家标准推荐性

中文名称：半导体器件分立器件第4部分：微波器件
CCS分类：L40
ICS分类：31.080.01
发布日期：2006-10-10
实施日期：2007-02-01
代替标准：
技术归口：全国半导体器件标准化技术委员会
发布部门：工业和信息化部（电子）
标准分类：电子学半导体分立器件半导体分立器件综合

内容简介

国家标准《半导体器件分立器件第4部分：微波器件》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。
本标准给出了以下门类分立器件的标准： ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管（用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等） ——混频二极管和检波二极管 ——雪崩二极管（用于谐波发生器、放大器等） ——体效应二极管（用于振荡器、放大器等） ——双极型晶体管（用于放大器、振荡器等） ——场效应晶体管（用于放大器、振荡器等）

起草单位

中国电子科技集团公司第五十五研究所、

起草人

黄玉英、金毓铨、

相近标准

20201543-T-339 半导体器件分立器件第15部分：绝缘功率半导体器件
20200761-T-339 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管
20162480-T-339 半导体器件分立器件第5-5部分：光电子器件光电耦合器
GB/T 15651.4-2017 半导体器件分立器件第5-4部分:光电子器件半导体激光器
20201535-T-339 半导体器件第16-4部分：微波集成电路开关
GB/T 21039.1-2007 半导体器件分立器件第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范
20210840-T-339 电子元器件半导体器件长期贮存第4部分：贮存
GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件
GB/T 17573-1998 半导体器件分立器件和集成电路第1部分:总则
GB/T 12560-1999 半导体器件分立器件分规范

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

本地下载

纠错