SJ/T 10482-1994 半导体深能级的瞬态电容测试方法
标准详情：
SJ/T 10482-1994
行业标准-SJ 电子推荐性现行
- 中文名称：半导体深能级的瞬态电容测试方法
- CCS分类：
- ICS分类：
- 发布日期：1994-04-11
- 实施日期：1994-10-01
- 代替标准：
- 行业分类：
- 技术归口：
- 发布部门：电子工业部
- 标准分类：SJ 电子
内容简介
行业标准《半导体深能级的瞬态电容测试方法》，主管部门为电子工业部。
本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。 本标准适用于测量硅、砷化镓等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。
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