SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法

标准详情：

SJ/T 11487-2015

行业标准-SJ 电子推荐性

中文名称：半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
CCS分类：H83
ICS分类：29.045
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
代替标准：
行业分类：
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：工业和信息化部
标准分类：电气工程半导体材料 SJ 电子

内容简介

行业标准《半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。
本标准规定了半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法。本标准适用于半绝缘砷化镓、磷化铟、碳化硅等高阻半导体材料电阻率的测量，电阻率的测量范围为10^5 Ω·cm～10^12Ω·cm。

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等

起草人

何秀坤、董彦辉、刘兵等

相近标准

20211954-T-469 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法
GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
SJ/T 11488-2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
GB/T 40007-2021 纳米技术纳米材料电阻率的接触式测量方法通则
20211956-T-469 半导体晶片表面金属沾污的测定全反射X射线荧光光谱法
GB/T 18290.3-2000 无焊连接第3部分:可接触无焊绝缘位移连接一般要求、试验方法和使用导则
SJ/T 10481-1994 硅外延层电阻率的面接触三探针方法
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法
20194111-T-339 声表面波器件用单晶晶片规范与测量方法

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

本地下载

纠错