SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法

标准详情:

SJ/T 11499-2015

行业标准-SJ 电子推荐性
  • 中文名称:碳化硅单晶电学性能的测试方法
  • CCS分类:H83
    ICS分类:29.045
  • 发布日期:2015-04-30
    实施日期:2015-10-01
  • 代替标准:
    行业分类:
  • 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
    发布部门:工业和信息化部
  • 标准分类:电气工程半导体材料SJ 电子

内容简介

行业标准《碳化硅单晶电学性能的测试方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报,主管部门为工业和信息化部。
本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。标准适用于在(~263.15~426.85)℃温度范围内,电阻率在1×10∧5Ω.cm以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院

起草人

丁丽、郑庆瑜、蔺娴 等

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