T/IAWBS 005-2018 6 英寸碳化硅单晶抛光片

标准详情:

T/IAWBS 005-2018

团体标准推荐性

内容简介

本标准规定了6英寸4H及6H碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等
本标准适用于6英寸4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片
产品作为衬底材料主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件
本标准适用于6英寸4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。规定了6英寸4H及6H碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准规定了碳化硅抛光片的晶向为碳化硅抛光片表面取向的正交晶向偏离为:a)正晶向:0°±0.5°;b)偏晶向:碳化硅抛光片的晶向偏离为晶片表面法线沿主定位边方向偏向[1120]方向4°±0.5°或其它角度。同时本标准还规定了表面缺陷、微管密度、结晶质量、电阻率、多型、位错密度等内容。

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有 限公司、北京天科合达新材料有限公司、新疆天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物 理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团 公司第四十六研究所、东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成 电子科技(厦门)有限公司、中国科学院电工研究所、泰科天润半导体科技(北京)有限公司

起草人

陆敏、彭同华、郑红军、佘宗静、林健、王文军、刘春俊、闫果果、 钮应喜、林雪如、陈鹏、刘祎晨、张平、张新河、钮应喜、陈志霞、张瑾、陈彤

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