T/CIE 119-2021 半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序
标准详情：
- 中文名称：半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序
- CCS分类：/C397
- ICS分类：31.080.01
- 发布日期：2021-11-22
- 行业分类：C 制造业
- 实施日期：2022-02-01
- 团体名称：中国电子学会
- 标准分类：C 制造业半导体器分立件综合电子学制造业电子器件制造
内容简介
本文件给出半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序。专门针对使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验，根据半导体器件工艺和散裂中子源测试条件变化，编制新标准，覆盖热中子和高能中子协同测试，提升试验效率，覆盖高速大容量器件测试、MBU测试分析、1MeV~10MeV中子贡献等半导体器件大气中子单粒子效应测试中的关键环节。通过开展散裂中子源加速辐照试验、数据处理分析和计算，可以得到半导体器件在实际应用环境下的大气中子单粒子效应敏感性数据，为半导体器件抗辐射能力评价提供依据，为电子系统软错误模型和分析评价提供基础数据。
起草单位
工业和信息化部电子第五研究所、中国民用航空适航审定中心、散裂中子源科学中心、西北核技术研究院、中国航发商用航空发动机有限责任公司、中国航空综合技术研究所
起草人
张战刚、雷志锋、黄云、郭雁泽、于全芝、梁天骄、郭红霞、赵振可、王春晓、陈宇、何玉娟、彭超、肖庆中
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