SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法

标准详情：

SJ/T 11493-2015

行业标准-SJ 电子推荐性

中文名称：硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
CCS分类：H82
ICS分类：29.045
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
代替标准：
行业分类：
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：工业和信息化部
标准分类：电气工程半导体材料 SJ 电子

内容简介

行业标准《硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。
本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测试方法。本标准适用于锑、砷、磷的掺杂浓度＜0．2％（1×10∧2at·cm-3）的单晶样品，其中氮的浓度大于等于1 ×10∧14 at·cm-3

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等

起草人

马农农、何友琴、何秀坤等

相近标准

SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
GB/T 20176-2006 表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定二次离子质谱法
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法
GB/T 32495-2016 表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法
20213227-T-469 表面化学分析二次离子质谱静态二次离子质谱相对强度标的重复性和一致性
GB/T 40109-2021 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方法
GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

本地下载

纠错