SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流

标准详情:

SJ/T 2658.3-2015

行业标准-SJ 电子推荐性
  • 中文名称:半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流
  • CCS分类:L53
    ICS分类:31.080
  • 发布日期:2015-10-10
    实施日期:2016-04-01
  • 代替标准:代替SJ/T 2658.3-1986
    行业分类:
  • 技术归口:工业和信息化部电子工业标准化研究院
    发布部门:工业和信息化部
  • 标准分类:电子学半导体分立器件SJ 电子

内容简介

行业标准《半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报,主管部门为工业和信息化部。
本部分规定了半导体红外发射二极管反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

起草单位

工业和信息化部电子工业标准化研究院

起草人

张戈、赵英

相近标准

SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压
JB/T 9478.12-2013 光电池测量方法 第12部分:反向击穿电压
SJ/T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分:热阻
SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则
SJ/T 2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分:结温

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

「在线纠错」

「相关推荐」