SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

标准详情:

SJ/T 11586-2016

行业标准-SJ 电子推荐性
  • 中文名称:半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
  • CCS分类:L40
    ICS分类:31.080.01
  • 发布日期:2016-01-15
    实施日期:2016-06-01
  • 代替标准:
    行业分类:
  • 技术归口:工业和信息化部电子工业标准化研究院
    发布部门:工业和信息化部
  • 标准分类:半导体分立器件半导体分立器件综合SJ 电子电子学

内容简介

行业标准《半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报,主管部门为工业和信息化部。
本标准规定了使用X射线辐射源(平均能量约10keV,最大能量不超过100keV)对半导体器件(以下简称“器件”)进行总剂量电离辐照试验的方法和程序。本标准适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。本标准不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验。

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所

起草人

罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等

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