SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范

标准详情:

SJ/T 9014.8.2-2018

行业标准-SJ 电子推荐性
  • 中文名称:半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
  • CCS分类:L44
    ICS分类:31.080.30
  • 发布日期:2018-04-30
    实施日期:2018-07-01
  • 代替标准:
    行业分类:信息传输、软件和信息技术服务业
  • 技术归口:工业和信息化部电子工业标准化研究院
    发布部门:工业和信息化部
  • 标准分类:电子学半导体分立器件三极管信息传输、软件和信息技术服务业SJ 电子

内容简介

行业标准《半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报,主管部门为工业和信息化部。
本规范规定了超结金属氧化物半导体场效应晶体管详细规范的编写要求和编写格式。本规范适用于采用超结原理设计生产的超结金属氧化物半导体场效应晶体管系列产品详细规范的编制。

起草单位

西安龙腾新能源科技发展有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司、华润上华科技有限公司等

起草人

陈桥梁、周宏伟、王飞 等

相近标准

20201543-T-339 半导体器件 分立器件 第15部分:绝缘功率半导体器件
20200761-T-339 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管
GB/T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范
GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
20162480-T-339 半导体器件 分立器件 第5-5部分:光电子器件 光电耦合器
GB/T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
GB/T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

「在线纠错」

「相关推荐」