SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法

标准详情：

SJ/T 11498-2015

行业标准-SJ 电子推荐性

中文名称：重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
CCS分类：H82
ICS分类：29.045
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
代替标准：
行业分类：
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：工业和信息化部
标准分类：电气工程半导体材料 SJ 电子

内容简介

行业标准《重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。
本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。本标准适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度＜0.2％（1×10∧20at·cm-3）的硅材料。特别适用于电阻率在0.0012Ω·cm～1.0Ω·cm的p型硅材料和电阻率在0.008Ω·cm～0.2·cm的n型硅材料。

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等

起草人

何友琴、马农农、何秀坤等

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