标准号标准名称标准状态发布时间实施时间
- GB/T 24574-2009硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
- 现行
2009-10-302010-06-01 - GB/T 24575-2009硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
- 现行
2009-10-302010-06-01 - GB/T 32573-2016硅粉 总碳含量的测定 感应炉内燃烧后红外吸收法
- 现行
2016-02-242016-11-01 - GB/T 12963-2014电子级多晶硅
- 现行
2014-12-312015-09-01 - GB/T 6618-2009硅片厚度和总厚度变化测试方法
- 现行
2009-10-302010-06-01 - GB/T 31854-2015光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
- 现行
2015-07-032016-03-01 - GB/T 24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
- 废止
2009-10-302010-06-01 - GB/T 6619-2009硅片弯曲度测试方法
- 现行
2009-10-302010-06-01 - GB/T 14847-2010重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
- 现行
2011-01-102011-10-01 - GB/T 30856-2014LED外延芯片用砷化镓衬底
- 现行
2014-07-242015-04-01 - GB/T 11093-2007液封直拉法砷化镓单晶及切割片
- 现行
2007-09-112008-02-01 - GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
- 现行
2009-10-302010-06-01 - GB/T 30855-2014LED外延芯片用磷化镓衬底
- 现行
2014-07-242015-04-01 - GB/T 6620-2009硅片翘曲度非接触式测试方法
- 现行
2009-10-302010-06-01 - GB/T 14140-2009硅片直径测量方法
- 现行
2009-10-302010-06-01 - GB/T 24580-2009重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
- 现行
2009-10-302010-06-01 - GB/T 14144-2009硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
- 现行
2009-10-302010-06-01 - GB/T 24576-2009高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
- 现行
2009-10-302010-06-01 - GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
- 现行
2009-10-302010-06-01 - GB/T 1555-2009半导体单晶晶向测定方法
- 现行
2009-10-302010-06-01